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（c）一种材料的示意图，粉黛该材料将交替强键和弱键界面的各向异性键对比度与层失配应变引起的初始面内畸变相结合。

因此，草花城秋迫切需要进一步研究可扩展的高均匀性、高分辨率的Ga2O3图像传感器阵列，以满足大面积光电子学的广泛应用。海扮势垒高度的降低是光电探测器内部增益巨大的原因。

靓泉e）退火后的a-Ga2O3薄膜的CL光谱。粉黛d）显示运动过程中不同位置的光束输出图像。草花城秋插图是红色虚线框内选定区域的FFT衍射图案。

e）在254nm光照前后，海扮PAa-Ga2O3 SBPD的10µm×10µm扫描区域的表面电位变化过程。图2退火的a-Ga2O3薄膜的形貌表征a）在没有Ti/Au电极覆盖的区域，靓泉退火的a-Ga2O3薄膜的横截面TEM图像。

粉黛b）在5V下通过10ms254nm脉冲光激发得到的瞬态光响应特性曲线。

草花城秋c）PD在黑暗中不同偏置电压下的噪声谱功率密度。【图文导读】图1 利用浮动组装法制备高导电和可拉伸的纳米膜图2纳米膜的结构和力学性能图3 冷焊堆垛后图案化纳米膜的电学性能文献链接：海扮Highlyconductiveandelasticnanomembraneforskinelectronics（Science，海扮2021，DOI:10.1126/science.abh4357）本文由木文韬翻译，材料牛整理编辑。

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